A Micron a héten jelentette be, hogy az Intellel közösen sikerült úgy módosítaniuk az eddig csak a processzorgyártásban használt 3D-s félvezető-technológiát, hogy az flash memóriák létrehozásában is alkalmazható legyen. Az áttörésnek köszönhetően a jövőben minden korábbinál nagyobb sűrűségű flash-tárolók - elsősorban SSD-meghajtók - lesznek előállíthatók, amik kapacitása elérheti, sőt, meg is haladhatja majd a 10 terbájtot is.
Az új eljárásban a gyártás során nem kevesebb, mint 32 réteget építenek fel függőlegesen egymásra, ezáltal 256 Gigabitnyi MLC, illetve 384 Gigabitnyi TLC technológiás NAND flash áramkört kialakítva egy standard flash chip méretében. Ilyen adatsűrűség mellett egy rágógumi-csíknyi (M.2-es, SATA Express-es) méretben már 3.5 TB-os SSD-meghajtókat is lehet majd építeni, a hagyományosnak nevezhető 2.5 colos meghajtóméretbe pedig akár 10 TB-nyi flash kapacitást is bele lehet zsúfolni.
A szupernagy SSD-k alapját az új 3D-s NAND technológiával készült flash áramkörök képezik
A méretcsökkenéssel ráadásul nem csak az áramkörök, illetve a meghajtók kapacitásai növekednek, de azok fajlagos gyártási költségei is csökkennek. Így az új technológiai az SSD-meghajtók árának még az eddigieknél is alacsonyabb szintre történő lenyomásához is hozzájárulhat.
A Micron szerint az első, az új 3D-s flash technológiára épülő SSD-meghajtók valamikor a jövő év során kerülhetnek majd piacra.